FIB制样介绍
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FIB基本原理
FIB（Focused Ion Beam，聚焦离子束)是将离子源（如镓）产生的离子束经过离子枪加速，并利用电透镜聚焦成非常小尺寸（纳米级）的显微切割仪器。可以实现微、纳米级尺度的表面形貌加工。通常会配置高分辨的扫描电镜（SEM），用于切割位置的定位及新鲜截面的成像，也就是常说的双束FIB。 |  |
FIB设备介绍
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 | FIB优势
FIB是最精密，最微细的加工方法之一， 是微纳 米加工技术的基础； 污染少，特别适用于对易氧化的金属、 合金材料合高纯度半导体材料的加工； 无加工应力，热变形等级小，加工质量高， 适合于对各种材料或零件的加工。 主要参数 FIB （Ion Beam）
30KV 1.1pA，≤4nm 500V,97pA，≤500nm SEM （E Beam）
TLD, UC-mode ON, 1 kV, WD=1.5~2mm,1.6~6.3 pA Measured value ≤0.7 nm |
FIB基本应用
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| 集成电路的诊断与修改 | 
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Cross-section截面制备 | 
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| 制作透射电镜样品 | 
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FIB应用示例
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