芯片失效分析（华南检测案例分析）

失效分析工作是一个非常复杂的过程，需要多个学科之间的相互交叉。华南检测公司拥有先进的分析检测设备、全面的材料分析方法和标准，以及经验丰富的专业技术团队。我们能够综合分析和评价材料表面成分、材料结构和成分分析，产品清洁度和污染物分析，以及PCB/PCBA失效和芯片失效的原因和机理。同时，作为独立的第三方检测机构，我们出具的报告客观、科学、准确和公正，无论是对委托方还是其他方而言，都是基于事实和分析测试结果进行分析。

下面就是广东省华南检测技术有限公司如何进行芯片失效分析流程和分析的案例。

一、芯片失效分析的步骤

1. 外观检查。

2. X-ray。

3.声学扫描显微镜检查。

4.I-V曲线测试。

5.化学解封装后内部视检。

6.微光显微镜检查。

二、芯片失效分析案例

1. 案例背景

收到客户样品2Pcs芯片，客户描述1Pc为NG样品，另1Pc为OK样品，根据客户要求进行失效分析原因。

2.分析方法简述

2.1 外观检查

  OK芯片外观形貌

 NG芯片外观形貌

说明：光学显微镜检查显示OK样品正面、背面以及侧面无其他明显外观异常。检查显示NG样品正面、背面及侧面均有助焊剂残留及黑胶残留。

 2.2 X-射线检查

OK芯片X-Ray形貌

NG芯片X-Ray形貌

说明：X-射线检查显示OK样品与NG样品内部形貌一致，内部键合线不一致，无其他明显内部异常。

2.3声学扫描显微镜检查

 OK芯片C-SAM形貌

NG芯片C-SAM形貌

说明：声学扫描显微镜检查显示OK样品与NG样品芯片表面及引线框面均无明显异常。

2.4 I-V曲线测试 

  OK  I-V曲线测试图

NG  I-V曲线测试图

说明： I-V测试曲线分析（电流500uA/电压500mV），NG样品测试曲线有VCC对GND存在差异，可能存在微漏电情况。

2.5 化学解封装后内部视检

OK芯片化学解封装后内部形貌

 NG芯片化学解封装后内部形貌

说明：化学解封装后光学显微镜检查显示OK样品与NG样品形貌一致，无其他异常特征。

2.6 微光显微镜检测

NG样品微光显微镜检测形貌

说明:微光显微镜检测（5V电压、1mA电流）显示NG样品芯片GND对VCC间存在漏电异常现象。

三、失效分析结论

对客户提供的NG样品芯片进行外观检查，I-V测试曲线分析以及结合微光显微镜检测结果，推测芯片失效的原因是芯片内部轻微漏电，导致工作异常。

华南检测基于材料科学工程和电子可靠性工程打造工业医院服务模式，借助科学的检测分析标准和方法、依托专业的工程技术人员和精密的仪器设备，帮助企业解决在产品研发、生产、贸易等多环节遇到的各种与品质相关的问题，工业CT 检测、失效分析、材料分析检测、芯片鉴定、DPA分析、芯片线路修改、晶圆微结构分析、可靠性检测、逆向工程、微纳米测量等专业技术测服务，欢迎前来咨询了解。

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